第264章 证明费马大定理卡壳 (第2/4页)

分零部件的供应问题，最终设计的极限制程性能被限制在210纳米。

    本来是可以实现ArF准分子激光的,达到190纳米水平的，不过由于材料和部件的问题，最终ArF准分子激光标准未能实现，所以，这算是阉割版。

    只能等着极光3号改进型出来才能最终达到ArF准分子激光。

    按照李树对光刻机和芯片的升级进度表，目前慢了一步。

    按照进度表，2000年奥运会前夕，振蓝深紫外光光刻机达到130纳米制程水平，芯片工艺达到奔腾3水平，第一次和世界商用芯片一流水平持平。

    到2004年，达到70纳米制程水平，第一次成为世界性能最好的商用芯片。

    2004年，也就是差不多10年后，是华夏芯片的分水岭，在李树的计划里，那一年华夏将彻底解决芯片被卡脖子的问题。

    “李总，一切准备就绪，可以开始压力测试了。”研发部主管薛亦为提醒李树,才让李树从思绪中剥离出来。

    李树身着防尘服,进入光刻机作业车间,开始设置参数。

    这一过程目前只有李树精通，其他员工还在艰难的学习中。

    唯一能够看见过程的，就只有光刻机步进式显微镜镜头不断的在掩膜版上方移动，这是在硅片上创造一座城市的过程。

    在极限制程之下，光刻机并没有报错，继续正常工作，让李树松了一口气。

    210纳米制程的HXNB-888-2集成400万个晶体管，晶体管数量已经超过目前的奔腾处